三星SK海力士加码中国NAND产能 应对AI需求激增。三星电子与SK海力士正加速在中国的NAND闪存生产布局，计划在明年前完成新一轮设备投资，以应对由AI服务器驱动的高端存储需求激增。

业内消息显示，三星电子已将中国西安工厂的第九代NAND转换投资计划具体化，并确定追加补充投资方案。相关设备采购订单预计于今年年底前落实，补充投资将于明年下半年启动。SK海力士则从今年第三季度起，在大连第二工厂推进NAND产品升级所需的设备投资，目标产能规模约为月产3万片晶圆。

这些投资计划表明，两家公司正将中国生产线定位为高端NAND量产的重要支柱。随着AI基础设施建设提速，市场对先进NAND的需求持续扩张，此轮扩产有望进一步提升这两家企业的高端产品供给能力。

三星电子今年上半年已在西安X2产线启动V9 NAND转换投资。V9 NAND采用280层级堆叠架构，属于当前最先进的NAND产品，预计该产线月产能将达4万至5万片晶圆。为进一步巩固V9 NAND的稳定量产能力，三星电子近期确定了针对该工厂的补充投资计划，核心内容为追加引入刻蚀工艺设备。刻蚀工艺是NAND制造的关键环节，因为NAND需要将存储单元堆叠数百层，必须在晶圆上蚀刻出极深的通道孔，对刻蚀技术的精度与深度要求极高。

据业内人士透露，三星电子计划于明年下半年执行上述补充投资，相关设备采购订单预计在今年年底前具体落实。此举旨在分阶段推进中国境内先进NAND产能扩张，直接动因是AI服务器等应用场景对高端NAND需求的快速增长。

SK海力士方面，该公司已于今年第三季度起在大连第二工厂启动设备投资，目标是推进当地NAND产品的技术升级。目前讨论中的投资规模对应月产能约为3万片晶圆，相关投资将持续推进至明年。这一轮投资标志着SK海力士在华NAND产能建设进入实质性加速阶段，与三星西安工厂的扩产节奏形成呼应，共同应对全球高端NAND供需缺口。